Samsung ontwikkeld eerste 12nm DDR5 DRAM-modules
Dit artikel is gebaseerd op een persbericht van Samsung
Samsung Electronics heeft de ontwikkeling aangekondigd van zijn 16-gigabit (Gb) DDR5 DRAM gebouwd met behulp van de eerste 12-nanometer (nm)-klasse procestechnologie in de branche, evenals de bevestiging van de productevaluatie voor compatibiliteit met AMD.
Deze technologische sprong is mogelijk gemaakt door het gebruik van een nieuw materiaal de celcapaciteit verhoogt en door eigen ontwerptechnologie die de belangrijke circuitkarakteristieken verbetert. Gecombineerd met geavanceerde, meerlaagse extreem-ultraviolet (EUV) lithografie, beschikt de nieuwe DRAM over de hoogste matrijsdichtheid in de branche, wat een toename van 20 procent in waferproductiviteit mogelijk maakt.
Door gebruik te maken van de nieuwste DDR5-standaard, zal de 12nm-klasse DRAM van Samsung helpen bij het ontgrendelen van snelheden tot 7,2 gigabit per seconde (Gbps). Dit vertaalt zich in het verwerken van twee UHD-films van 30 gigabyte (GB) in slechts één seconde. De uitzonderlijke snelheid van de nieuwe DRAM gaat gepaard met een grotere energie-efficiëntie. De 12nm-klasse DRAM verbruikt tot 23 procent minder stroom dan de vorige generatie DRAM en zal een ideale oplossing zijn voor internationale IT-bedrijven die milieuvriendelijker willen werken.
Met de start van de massaproductie in 2023, is Samsung van plan om zijn DRAM-assortiment, gebouwd op deze geavanceerde 12nm-klasse procestechnologie, uit te breiden naar een breed scala aan marktsegmenten.
Bronnen: Samsung
