Samsung is begonnen met de massaproductie van zijn 9e-generatie V-NAND van 1 TB

Dit artikel is gebaseerd op een persbericht van Samsung

Samsung kondigt aan dat het de massaproductie heeft gestart van zijn 9e-generatie vertical NAND (V-NAND) met een capaciteit van één terabit (Tb), waarmee het zijn positie als wereldleider in geavanceerde geheugentechnologie versterkt. Deze nieuwe V-NAND, met triple-level cell (TLC) technologie, biedt verbeterde prestaties en dichtheid, dankzij innovaties zoals een kleinere celgrootte en een dunner ontwerp, wat resulteert in een 50% hogere bitdichtheid ten opzichte van de vorige generatie. Samsung heeft ook nieuwe technologieën toegepast, zoals celinterferentie-avoidance en cellevensduurverlenging, om de kwaliteit en betrouwbaarheid van het product te verbeteren.

De 9e-generatie V-NAND is uitgerust met de “Toggle 5.1” NAND flash interface, waarmee de datatransmissiesnelheden met 33% worden verhoogd tot 3,2 gigabits per seconde (Gbps). Samsung plant verdere uitbreiding van de ondersteuning voor PCIe 5.0 om zijn positie in de high-performance SSD-markt te versterken. Bovendien is het energieverbruik met 10% verbeterd dankzij ontwikkelingen in low-power design, waardoor de V-NAND een optimale oplossing is voor toekomstige toepassingen die streven naar energie-efficiëntie.

Samsung is begonnen met de massaproductie van de 1Tb TLC 9e-generatie V-NAND, met plannen om later dit jaar het quad-level cell (QLC) model te introduceren. Deze nieuwe generatie V-NAND wordt gezien als een belangrijke stap voorwaarts voor Samsung en zal naar verwachting de standaard zetten voor high-performance, high-density solid state drives (SSD’s) die voldoen aan de eisen van de komende AI-generatie.

Bronnen: Samsung

Meer Techtesters? Vragen over de producten die we bespreken? Je kan ons vinden op:
– Techtesters YouTube
– Nadalina op Twitter (Chef de Video)
– Foritain op Twitter (Test Chef)
– Techtesters op Instagram